
半导体器件加工工艺与技术研讨会
时间:2018年10月24日 - 2018年10月26日
地点:苏州国际博览中心A107
半导体是现代科学和现代技术结合的产物,近年来半导体技术的发展引发一系列新的科学技术,引领科学和产业发展的新纪元。2018年10月24日-10月27日由中科院人事局和江苏省纳米技术产业创新中心主办,中科院苏州纳米所承办, 中国电子学会电子材料学分会协办的半导体器件加工工艺与技术研讨会,研讨会邀请高校研究所及其企业著名纳米技术人才专家传授相关专业知识,特别针对化合物半导体和磁性材料器件的加工、测试、分析技术进行深入浅出的理论培训和技术研讨。本次研讨会为公益培训,旨在为相关行业技术人才提供一个学习交流机会,免费参加,名额有限,欢迎广大同学、科研人员和技术人员积极报名参加。
•主办单位: | 中国科学院人事局 江苏省纳米技术产业创新中心 |
•承办单位: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
•协办单位: | 中国电子学会电子材料学分会 |
-化合物半导体材料与器件
-微纳加工工艺与技术
-磁性材料器件与研究进展
已邀请嘉宾
演讲人:姜勇
演讲议题:垂直磁各向异性薄膜中的自旋输运行为
演讲主题:MEETING_SPEECH_TOPIC_CONTENT
国家/地区:中国
机构:太原科技大学
职务:教授
简介:教授、博士生导师、国家杰出青年基金获得者、教育部长江学者奖励计划特聘教授、教育部创新团队负责人。现任职务为太原科技大学副校长(挂职)、北京市弱磁检测与应用工程技术研究中心主任兼国际合作基地负责人。至今在国内外学术期刊上发表SCI论文210篇,其中影响因子7以上期刊论文12篇,3以上期刊论文90篇,文章被SCI他引2500余次;与他人合作发表英文专著(章节)3本;在国际会议做特邀报告20余次;获得发明专利授权11项。研究工作集中在自旋电子材料与器件的研究方面。主要学术及社会兼职包括《Journal of Materials Science & Technology》等八个国内外学术期刊编委、IEEE Senior Member、中国仪表功能材料学会副理事长、中国材料研究学会常务理事、中国稀土学会固体科学与新材料专业委员会委员、中国电子学会应用磁学分会委员会委员、中国物理学会磁学专业委员会委员、中国金属学会功能材料分会委员会委员、中国电子学会高级会员等。
演讲人:彭栋梁
演讲议题:高频用纳米软磁薄膜材料的可控制备与磁芯集成平面微电感器件研制
演讲主题:MEETING_SPEECH_TOPIC_CONTENT
国家/地区:中国
机构:厦门大学
职务:教授
简介:彭栋梁教授,理学和工学双博士,博士生导师,现任厦门大学材料学院院长。国家杰出青年科学基金获得者,国家重点研发计划“纳米科技专项”项目首席科学家,福建省“闽江学者”特聘教授,“福建省百千万人才工程”入选者,“福建省科技创新领军人才”入选者,2015-2017年度福建省优秀教师。中国材料研究学会理事会理事,中国电子学会应用磁学分会委员会委员,中国金属学会材料科学分会委员会委员,中国材料研究学会纳米材料与器件分会理事会理事,Steering Committee Member of the International Conference on Fine Particle Magnetism (2012.6--至今),Journal of Materials Science: Materials in Electronics国际期刊编辑,《Scientific Reports》、《金属功能材料》和《功能材料》等杂志编委会委员。主要研究领域为磁性材料与自旋电子学物理、能源材料、纳米和低维功能材料、光电材料、薄膜和涂层材料。先后承担了包括国家重点研发计划项目、国家杰出青年科学基金、国家重大科学研究计划课题(973计划)、国家自然科学基金等多项科研项目。已在ACS Nano、Nano Letters、Adv. Funct. Mater.、Chem. Soc. Rev.、Appl. Phys. Lett.、Phys. Rev. B等国际国内著名学术刊物上共发表科研论文250多篇,其中SCI收录论文230多篇。已授权日本发明专利6项,授权中国发明专项8项。
演讲人:池田昌夫
演讲议题:III-V族化合物半导体及可见光激光器
演讲主题:MEETING_SPEECH_TOPIC_CONTENT
国家/地区:日本
机构:中科院苏州纳米所
职务:名誉副主任、研究员
简介:池田昌夫博士自1980年起任职于索尼公司研发中心,先后担任先进索尼先进材料实验室总经理、研发总监、研究所副所长等重要职位,现任中国科学院苏州纳米所器件部名誉副主任、研究员,中国科学院特聘研究员。在化合物半导体材料领域工作的38年里,他主持和参与了多种化合物半导体材料及器件的MOCVD和MBE生长研究及产业化,主要包括从405nm到780nm波段的AlGaInN、AlGaAs、AlGaInP,和CdZnMgSSe基激光器及其它发光器件。在国际期刊上发表学术论文142篇。
演讲人:王金延
演讲议题:化合物半导体可靠性与失效分析
演讲主题:MEETING_SPEECH_TOPIC_CONTENT
国家/地区:中国
机构:北京大学
职务:教授、博士生导师
简介:2000年毕业于北京大学理学博士,2000年-2001年在新加坡国立大学进行学术访问,并于2002年从北京大学博士后站出站,同年留校工作。目前主要研究领域包括宽禁带半导体微波/开关功率器件理论、结构电路设计、关键工艺、可靠性及其新型系统集成技术。长期从事化合物半导体器件物理、结构设计、工艺和器件特性表征等方面的研究工作,也一直承担半导体器件物理方面的教学工作。作为项目负责人,承担 “973”预研项目、国家电子预研项目、国家自然科学基金、教育部博士点基金等科研项目。作为核心成员参加了国家核高基项目、国家重点基础研究发展规划(973项目)子课题。发表学术论文国内外期刊30多篇,并与他人合译教材一部,参与教材编制一部。
演讲人:张峰
演讲议题:SiC外延与器件研究进展
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国家/地区:中国
机构:中国科学院半导体研究所
职务:研究员、博导
简介:张峰, 2008 年获得厦门大学理学博士学位。2009 年至2011 年任美国加州大学洛杉矶分校 (UCLA) 博士后。 2011年至今任职于中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室研究员。目前为青年“973”总负责人,中国材料学会青委会理事,中国国际 ALD会议执行主席,中国科学院青年创新促进会优秀会员,第三代半导体卓越创新青年,北京市科技新星。SiC紫外光电探测器研究方面, 首次将Al2O3薄膜应用于4H-SiC基Schottky、MSM、p-i-n及 MOS紫外光电探测器,并获得了国际上量子效率最高的 4H-SiC基 MSM 紫外光电探测器。在 SiC基 MOS铁电器件与复杂氧化物原子层沉积研究方面,自行搭建了具备原位监测功能的铁电薄膜ALD 设备,利用 ALD技术在 SiC衬底上沉积 Pb(Zr,Ti)O3(PZT)铁电薄膜,实现了对原子层沉积过程的原位傅里叶红外监测。在此基础上,研制了4H-SiC基 MOS铁电器件,性能达到国际水平。近年来,在IEEE,AIP,ACS 等权威国际 SCI 杂志发表论文 40 余篇,申请发明专利 20 余项。目前负责“973”,“863”,国家自然科学基金,北京市重大科技计划项目,北京市自然科学基金等项目。
演讲人:李润伟
演讲议题:电场作用下离子输运与物性调控
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国家/地区:中国
机构:中国科学院宁波材料技术与工程研究所
职务:研究员
简介:2002年7月博士毕业于中科院物理研究所。2002-2008年先后在日本大阪大学产业科学研究所、德国凯泽斯劳滕大学、日本国家材料科学研究所国际青年科学家中心工作。2008年3月回国受聘为中国科学院宁波材料技术与工程研究所研究员。在Adv. Mater.、J. Am. Chem. Soc.、Adv. Funct. Mater.、 ACS Nano、 Proc. Natl. Acad. Sci.、Phys. Rev. B、Appl. Phys. Lett.等国际权威期刊发表SCI论文200余篇,申请专利100余项。担任亚洲磁学联盟委员会委员、美国电气和电子工程师协会(IEEE)高级会员、中国物理学会磁学分会副主任委员、中国电子学会应用磁学分会副主任委员,全国纳米技术标准化委员会委员等职务。2008年入选中科院“百人计划”,2015年获得国家杰出青年基金资助,2016年入选国家“万人计划”科技创新领军人才。2018年荣获宁波市科学技术一等奖和浙江省特级专家称号。
演讲人:柳忠元
演讲议题:二维材料的光电性质研究
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国家/地区:中国
机构:燕山大学亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室
职务:教授
简介:柳忠元博士自2005年起在燕山大学亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室担任教授,从事教学科研工作,2010年获国家杰出青年基金,研究领域涉及磁性薄膜材料、超硬材料与二维层状半导体材料的制备、性能及器件研究。迄今为止已发表学术论文170余篇。
演讲人:黄勇
演讲议题:GaAs、InP和GaSb半导体材料、器件和应用
演讲主题:MEETING_SPEECH_TOPIC_CONTENT
国家/地区:中国
机构:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
职务:研究员
简介:黄勇博士2002年获得清华大学材料系学士学位,2005获得中科院半导体研究所硕士学位,2010年获得美国佐治亚理工学院电子和计算机工程系博士学位。2011至2014年就职于美国IQE公司,任资深工艺工程师。2015年加入纳米所, 入选中科院“百人计划”。主要的学术成果包括成功实现了基于InAlGaAs/InP的长波长晶体管激光器的连续激射,实现了用MOCVD生长的InAs/GaSb二类超晶格红外探测器。迄今在Appl. Phys. Lett.等国际学术期刊发表SCI论文39篇,总引用500余次,国际大会学术报告24次,申请发明专利10项。
演讲人:蔡维伽
演讲议题:临时键合工艺及应用
演讲主题:MEETING_SPEECH_TOPIC_CONTENT
国家/地区:中国
机构:苏斯中国
职务:键合设备专家
简介:蔡维伽先生目前就任SUSS MicroTec公司的键合技术专家一职。自从2006年加入SUSS以来,他便一直专注于晶圆键合工艺。十多年来,他和SUSS全球晶圆键合专家团队,与国内多家半导体工厂、研究所及大学共同工作,帮助客户研究,发展及完善晶圆键合工艺在半导体制造多个领域的应用。
演讲人:张宝顺
演讲议题:欢迎辞
演讲主题:MEETING_SPEECH_TOPIC_CONTENT
国家/地区:中国
机构:中科院苏州纳米所
职务:研究员
简介:
演讲人:王逸群
演讲议题:微纳加工技术与工艺
演讲主题:MEETING_SPEECH_TOPIC_CONTENT
国家/地区:中国
机构:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
职务:高级工程师
简介:王逸群,高级工程师,硕士,2008年加入中科院纳米所任职,主要从事微纳米尺度集成封装技术及相关器件研发,曾作为科研骨干参加了国家基础研究计划、国家重大科学仪器开发项目,并作为课题负责人主持过国家重点研发计划课题1项,国家青年基金项目1项,中科院仪器修改项目1项,获得多项国家专利授权。在2013年成立的芯片钟物理系统研发组担任主要成员,承担原子气室开发及系统集成技术,在国内率先研制出芯片级原子钟物理系统原理样机,并处于国内领先国际先进水平,该技术2017年获得国家重点研发计划课题247.5万元经费支持。
演讲人:曾中明
演讲议题:自旋微波器件研究进展
演讲主题:MEETING_SPEECH_TOPIC_CONTENT
国家/地区:中国
机构:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
职务:研究员
简介:曾中明本科毕业于中南大学,在中科院物理研究所获得博士学位,先后在日本、美国从事博士后研究,现为中科院苏州纳米所"百人计划"研究员。主要研究方向为自旋微波器件,在Nat. Comm., Phys. Rev. Lett., ACS Nano, Adv. Mater.等期刊上发表论文50余篇。
演讲人:孙其梁
演讲议题:MEMS器件技术与工艺
演讲主题:MEETING_SPEECH_TOPIC_CONTENT
国家/地区:中国
机构:中科芯集成电路有限公司
职务:MEMS项目经理
简介:毕业于合肥工业大学电子科学与技术专业。从事半导体加工工艺十多年,其中专注于MEMS特殊加工工艺近十年。曾任华润上华MEMS部门(国家02项目MEMS加工平台)主要工艺开发人员,无锡微奥科技工艺开发经理,苏州微文半导体工艺经理。现任中科芯MEMS部项目经理。拥有加工工艺和芯片结构专利十余项。
日期: 10月24日 | 地点:A107 | |
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时间 | 演讲人 | 职位/机构及演讲主题 |
13:30-13:40 | 张宝顺 | 中科院苏州纳米所研究员 致欢迎辞 |
13:40-14:20 | 姜勇 | 太原科技大学教授 自旋电子材料及器件进展 |
14:20-15:00 | 彭栋梁 | 厦门大学教授 纳米软磁薄膜材料研究进展 |
15:00-15:30 | 茶歇 | |
15:30-16:10 | 刘宜伟 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所副研究员 柔性磁电功能材料与传感器件 |
16:10-16:50 | 柳忠元 | 燕山大学学教授 二维材料的光电性质研究 |
16:50-17:30 | 曾中明 | 中科院苏州纳米所研究员 自旋微波器件研究进展 |
日期: 10月25日 | 地点:A107 | |
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时间 | 演讲人 | 职位/机构及演讲主题 |
08:50-10:50 | 王金延 | 北京大学教授 半导体器件可靠性物理及失效分析 |
10:50-11:00 | 茶歇 | |
11:00-12:00 | 黄 勇 | 中科院苏州纳米所研究员 GaAs、Inp和GaSb半导体材料、器件和应用 |
12:00-13:30 | 午餐 | |
13:30-14:30 | 池田昌夫 | 中科院苏州纳米所研究员 III-V族化合物半导体及可见光激光器 |
14:30-15:00 | 王逸群 | 中科院苏州纳米所高级工程师 微纳加工技术与工艺 |
15:00-15:30 | 茶歇 | |
15:30-17:00 | 王逸群 | 中科院苏州纳米所高级工程师 微纳加工技术与工艺 |
日期: 10月26日 | 地点:A107 | |
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时间 | 演讲人 | 职位/机构及演讲主题 |
09:00-10:00 | 蔡维伽 | 苏斯贸易(上海)有限公司高级工程师 临时键合技术 |
10:00-10:30 | 茶歇 | |
10:30-12:00 | 孙其梁 | 中科芯集成电路有限公司高级工程师 MEMS器件技术与工艺 |
12:00-13:30 | 午餐 | |
13:30-15:00 | 张峰 | 中国科学院半导体研究所 SiC功率器件研究进展 |
15:00-15:30 | 茶歇 | |
15:30-16:00 | 张峰 | 中国科学院半导体研究所 SiC功率器件研究进展 |
16:00-16:30 | 加工平台 | 培训证书发放和抽奖环节 |
日期: 10月27日 | 地点:A107 | |
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时间 | 演讲人 | 职位/机构及演讲主题 |
09:00-16:00 | 中科院苏州纳米所参观、实训 |