
第七届半导体器件加工工艺与技术研讨会
时间:2019年10月23日 - 2019年10月25日
地点:苏州国际博览中心A馆
半导体是现代科学和现代技术结合的产物,近年来半导体技术的发展引发一系列新的科学技术,引领科学和产业发展的新纪元。2019年10月23日-10月25日由中科院人事局和江苏省纳米技术产业创新中心主办,中科院苏州纳米所、苏州纳米科技发展有限公司承办, 中国电子学会电子材料学分会协办的半导体器件加工工艺与技术研讨会,研讨会邀请高校研究所及其企业著名纳米技术人才专家传授相关专业知识,特别针对化合物半导体和磁性材料器件的加工、测试、分析技术进行深入浅出的理论培训和技术研讨。本次研讨会为公益培训,旨在为相关行业技术人才提供一个学习交流机会,免费参加,名额有限,欢迎广大同学、科研人员和技术人员积极报名参加。
•主办单位: | 中国科学院人事局 江苏省纳米技术产业创新中心 | |
•承办单位: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 苏州纳米科技发展有限公司 |
•协办单位: | 中国电子学会电子材料学分会 |
-化合物半导体材料与器件
-微纳加工工艺与技术
-磁性材料器件与研究进展
拟邀请嘉宾
演讲人:刘明
演讲议题:多铁基自旋电子学材料与器件
演讲主题:MEETING_SPEECH_TOPIC_CONTENT
国家/地区:中国
机构:西安交通大学
职务:教授
简介:刘明博士是中国西安交通大学电气与信息工程学院教授。2010年,波士顿东北大学获得博士学位。在加入西安交通大学之前,在阿贡国家实验室任博士后。刘明博士的研究方向是新型磁学、铁电学和多铁电学及其应用。他发表了140多篇论文在顶级期刊,包括Nat. Nano., Nat. Commun., Adv. Mater. Adv. Funct. Mater。其中5篇由AM突出显示并选定为封面文件。其中一篇一作论文被“Adv. Funct. Mater”评选为在过去的10年里“十篇最杰出的论文””之一。
演讲人:夏经华
演讲议题:SiC MOS器件栅介质工艺进展及存在问题
演讲主题:MEETING_SPEECH_TOPIC_CONTENT
国家/地区:中国
机构:全球能源互联网研究院有限公司
职务:研发高级工程师
简介:夏经华,男,1971年2月出生,分别于1993,2002和2011年于西安交通大学,新加坡国立大学和新加坡南洋理工大学取得学士学位、硕士学位和博士学位。他的博士研究方向是碳化硅干法刻蚀的研究。他于2002年于新加坡南洋理工大学开始研发SiC工艺。在2012-2013年期间,他作为博士后访问学者在瑞典皇家理工学院进修一年,主攻SiC MOS high-K栅介质的ALD沉积工艺。回国至今,他就职于全球能源互联网研究院,从事SiC栅氧氧化及欧姆接触工艺的研发,主要参与或主持多项国家电网科技项目。他主持翻译了SiC技术专著一部,是近30篇SCI或EI论文的作者或者合作作者。
演讲人:修发贤
演讲议题:二维铁磁Fe3GeTe2的分子束外延生长及磁性调控
演讲主题:MEETING_SPEECH_TOPIC_CONTENT
国家/地区:中国
机构:复旦大学
职务:教授
简介:修发贤于2007年获得加州大学河滨分校的博士学位。2011年担任爱荷华州立大学助理教授。2013年入职复旦大学。修发贤教授主要从事半导体材料,狄拉克材料和器件物理方面的研究。在过去的十余年中,在学术期刊Nature, Nature Materials, Nature Nanotechnology, Nature Communications, JACS, Nano Letters等发表SCI论文110余篇。目前的工作重点在于新型狄拉克材料的生长、量子调控以及新型二维原子晶体的器件研究。研究工作被Science, Nature Nanotechnology亮点报道。承担了自然科学基金委、中央军委科技委以及科技部重点研发项目。研究成果得到国际同行的肯定与认可,被同行评价为“获得20%左右的最高栅极调控能力”“卓越的电导转换特性”以及“手性电子研究的重大实验进展”。近期发现了拓扑狄拉克材料中的三维量子霍尔效应和外尔半金属中的超高电导率。被Nature Reviews Materials评价为“第一次在三维晶体中发现量子霍尔效应”。
演讲人:张璇
演讲议题:碳化硅材料表征技术
演讲主题:MEETING_SPEECH_TOPIC_CONTENT
国家/地区:中国
机构:中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
职务:副研究员
简介:张璇博士2008年毕业于美国卡耐基梅隆大学,2009-2012年在日本电力中央研究所进行博士后研究工作,2016年入职中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加工平台,一直从事碳化硅材料、生长、及器件的研究工作,尤其在材料表征方面经验丰富。共计三次受邀参加碳化硅及相关材料国际年会并发表研究成果(2005年、2007年、2011年),以第一作者、通讯作者发表SCI收录文章10余篇,现主持国家青年自然科学基金一项。
演讲人:朱建军
演讲议题:GaN材料的异质外延生长
演讲主题:MEETING_SPEECH_TOPIC_CONTENT
国家/地区:中国
机构:中国科学院半导体研究所
职务:研究员
简介:半导体材料专业博士,研究员,就职于中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室。长期从事GaN半导体材料的外延生长、材料分析与GaN基发光器件研究,主要包括蓝宝石或Si衬底上GaN、AlGaN、InGaN以及AlInN材料的异质外延生长,GaN基LED、LD结构材料的外延生长等。承担或参与过多项国家和中科院项目,研究内容涉及GaN基LD、LED材料与器件,MOCVD装备等。目前主要从事GaN蓝光激光器材料与器件关键技术的研究,研究兴趣集中于外延生长机理、激光器物理、MOCVD设备结构与外延工艺。
演讲人:黄 伟
演讲议题:面向5G、高效能源应用的GaN半导体芯片技术
演讲主题:MEETING_SPEECH_TOPIC_CONTENT
国家/地区:中国
机构:复旦大学微电子学院
职务:研究员
简介:复旦大学微电子学院研究员,长期从事特色工艺、第三代半导体应用研究与实用化技术开发。2006年毕业于北京大学获得微电子学与固体电子学博士学位,先后在香港科技大学、中国电科58所从事博士后研究工作。曾在晶门科技有限公司(香港)、中国电科58所从事功率半导体产品研发与企业孵化、运行管理等相关工作。在国际著名期刊和会议上发表约五十篇论文,获得省部级奖项一次,出版专著一部,多款芯片产品获得高新技术产品称号。先后获得国家外专家人才引智计划、江苏省双创人才计划等。
演讲人:沈健
演讲议题:氧化物的复杂磁畴结构:物理起源及其器件应用
演讲主题:MEETING_SPEECH_TOPIC_CONTENT
国家/地区:中国/上海
机构:复旦大学
职务:教授
简介:沈健,男,浙江大学学士(1989年)、中科院物理所硕士(1992年)、德国马普微结构物理所博士(1996年),原美国橡树岭国家实验室高级研究员(1998-2010)、田纳西大学兼职教授。2010年辞去美国工作,全职受聘国家特聘教授、复旦大学“浩清”讲席教授。2010年至今任复旦大学物理系主任、微纳加工实验室主任、微纳电子器件与量子计算机研究院院长。现为中国物理学会常务理事、中国物理学会磁学分委会主任。沈健长期从事低维磁性及自旋输运的实验研究。迄今在国际SCI杂志上发表学术论文逾百篇,在包括APS、MRS、AVS、MMM、Intermag、MML等重大国际会议上做邀请报告百余次,并担任2012年在温哥华举行的国际应用磁学大会(Intermag)主席,2021年将在上海举行的国际磁学大会(ICM)主席。他指导的博士生多次在APS、MRS、AVS和PEC等大型国际会议上获得优秀博士毕业生奖。他因对低维磁性的研究,获得了1996年德国马普学会的Otto-Hahn奖章,2003年美国总统青年科技奖(美国政府给予青年科学家的最高奖励)和美国能源部杰出青年科学家奖等多项奖励,2011年,当选为美国物理学会会士(APS Fellow)。
演讲人:王金延
演讲议题:化合物半导体器件可靠性物理及分析
演讲主题:MEETING_SPEECH_TOPIC_CONTENT
国家/地区:中国
机构:北京大学微纳电子学系
职务:教授
简介:博士毕业于北京大学,从事半导体器件特性表征和可靠性物理及应用研究,于2000年-2001年在新加坡国立大学进行学术访问,并于2002年从北京大学博士后站出站,同年留校工作。长期从事半导体器件物理、结构设计、工艺和器件可靠性等方面的研究工作,也一直承担半导体器件物理方面的教学工作。作为项目负责人,承担 “973”预研项目、国家电子预研项目、国家自然科学基金、教育部博士点基金等科研项目。作为核心成员参加了国家核高基项目、国家重点基础研究发展规划(973项目)子课题。发表学术论文国内外期刊50多篇,并与他人合译/参与教材两部。
演讲人:张峰
演讲议题:第三代半导体SiC器件研究进展
演讲主题:MEETING_SPEECH_TOPIC_CONTENT
国家/地区:中国
机构:厦门大学
职务:教授
简介:张峰,教授,博导。2011年至2019年2月任中国科学院半导体研究所副研究员,研究员,2019至今任厦门大学闽江学者特聘教授。从事碳化硅(SiC)功率器件与外延生长研究。共主持和承担国家级及省部级项目10余项,任青年“973”首席科学家。通过自主搭建实现100微米高质量4H-SiC外延高速生长,生长速率达到80μm/h。成功将SiC外延应用到国网研制的SiC器件和模块中,连接了国内SiC产业链。完成了600-3300V SiC肖特基二极管的研制,目前相关技术国内领先。研制国内第一批SiC基IGBT功率器件,耐压特性达到10kV,并成功研制国内第一批工业化1200V/60 mΩ和80 mΩ SiC MOSFET功率器件。国际上率先将1200V SiC肖特基二极管其应用到电动汽车充电桩中。成功制备工业化水平1200V/20A SiC MOSFET器件。目前为第三代半导体产业联盟青委会副主任,中国有色金属学会半导体材料学术委员会理事,中国材料学会青委会理事,中国电子学会高级会员,中国ALD会议执行主席。并获得了北京市科技新星,第三代半导体卓越创新青年,中科院青促会优秀会员等荣誉称号。
演讲人:王逸群
演讲议题:微纳加工技术介绍
演讲主题:MEETING_SPEECH_TOPIC_CONTENT
国家/地区:中国
机构:中科院苏州纳米所
职务:教授
简介:王逸群,教授,硕士,2008年加入中科院纳米所任职,主要从事微纳米尺度集成封装技术及相关器件研发,曾作为科研骨干参加了国家基础研究计划、国家重大科学仪器开发项目,并作为课题负责人主持过国家重点研发计划课题1项,国家青年基金项目1项,中科院仪器修改项目1项,获得多项国家专利授权。在2013年成立的芯片钟物理系统研发组担任主要成员,承担原子气室开发及系统集成技术,在国内率先研制出芯片级原子钟物理系统原理样机,并处于国内领先国际先进水平,该技术2017年获得国家重点研发计划课题247.5万元经费支持。
演讲人:王俊
演讲议题:碳化硅功率半导体器件研究的一些挑战和应对措施
演讲主题:MEETING_SPEECH_TOPIC_CONTENT
国家/地区:中国
机构:湖南大学
职务:教授
简介:王俊,湖南大学教授、博导,湖南大学超大功率半导体中心副主任,湖南省“百人计划”获得者。2000年在华中科技大学电子科学与技术系获得本科学位,2005在美国南卡罗莱纳大学电子系获得硕士学位,2010年在美国北卡罗莱纳州立大学电子系获得博士学位,从事高压碳化硅功率器件及其应用的研究,研制报道了首个碳化硅发射极关断晶闸管(ETO),博士学习期间分别在美国科锐公司和美国橡树岭国家实验室实习。2010年2月至2013年12月在美国德州仪器公司(TI)任高级工程师,从事新型低压功率MOSFET产品的研发,研发的硅基功率MOSFET产品应用到苹果公司的iphone5和ipad。2014年任湖南大学特聘教授,开展新型电力电子器件及其在电力电子系统中的应用研究,研制报道了3300V/800A压接型大晶圆IGBT模块、1200V SiC BJT和功率集成技术、低成本高性能Si/SiC混合器件技术。在国际学术刊物上发表SCI和EI收录论文70余篇,拥有3项美国专利。他是IEEE高级会员,担任IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics和IET Power Electronics期刊编委。他的研究方向主要集中在电力电子器件及其在电力电子系统中的高效应用。
演讲人:曾中明
演讲议题:面向脑启发人工智能芯片应用的自旋电子器件
演讲主题:MEETING_SPEECH_TOPIC_CONTENT
国家/地区:中国
机构:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
职务:研究员
简介:曾中明本科毕业于中南大学,在中科院物理研究所获得博士学位,先后在日本、美国从事博士后研究,现为中科院苏州纳米所"百人计划"研究员。主要研究方向为自旋微波器件,在Nat. Comm., Phys. Rev. Lett., ACS Nano, Adv. Mater.等期刊上发表论文50余篇。
日期 | 时间 | 专家 | 演讲主题 |
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10月23日 | 8:30-12:00 | 纳米技术产业报告 | |
午餐 | |||
13:30-13:40 | 张宝顺 研究员 | 纳米加工平台介绍 | |
13:40-14:20 | 沈 健 教 授 | 氧化物的复杂磁畴结构:物理起源及其器件应用 | |
14:20-15:00 | 修发贤 教 授 | 二维铁磁Fe3GeTe2的分子束外延生长及磁性调控 | |
茶 歇 | |||
15:20-16:00 | 曾中明 研究员 | 面向脑启发人工智能芯片应用的自旋电子器件 | |
16:00-17:30 | 王 俊 教 授 | 碳化硅功率半导体器件研究的一些挑战和应对措施 | |
10月24日 | 9:00-9:50 | 刘 明 教 授 | 多铁基自旋电子学材料与器件 |
茶 歇 | |||
10:20-12:00 | 王金延 教 授 | 化合物半导体器件可靠性物理及分析 | |
午 餐 | |||
13:30-15:00 | 黄 伟 研究员 | 面向5G、高效能源应用的GaN半导体芯片技术 | |
茶 歇 | |||
15:30-17:00 | 朱建军 研究员 | GaN材料的异质外延生长 | |
17:00-17:30 | 许 箭 博士 | 光刻材料与设备国产化发展介绍 | |
10月25日 | 9:00-10:10 | 王逸群 高 工 | 微纳加工技术 |
茶 歇 | |||
10:30-12:00 | 张 峰 教 授 | 第三代半导体SiC器件研究进展 | |
午 餐 | |||
13:30-15:00 | 夏经华 高 工 | SiC MOS器件栅介质工艺进展及存在问题 | |
茶 歇 | |||
15:30-16:30 | 张 璇 副研究员 | 碳化硅材料表征技术 | |
16:30-17:00 | 加工平台 | 培训证书发放和抽奖环节 |